稀土锰氧化物的低场磁电阻效应  

LOW-FIELD MAGNETORESISTANCE OF PERVOSKITE MANGANITE

作　　者：王克锋[1] 刘俊明[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京210093

出　　处：《物理学进展》2003年第2期192-211,共20页Progress In Physics

基　　金：国家自然科学基金会 ( 1 0 0 740 2 8);国家 973计划 (G1 9980 61 40 0 );固体微结构实验室资助

摘　　要：具有庞磁电阻效应的掺杂稀土锰氧化物因为其高的自旋极化率和自旋极化输运行为而表现出显著的低场磁电阻效应。这一效应在氧化物自旋电子学中有着深远的潜在应用前景。本文综述了国内外近年来在锰氧化物低场磁电阻增强这一研究领域的进展和存在的一些问题。全文分三个部分 ,首先概述了基于自旋极化散射和自旋极化隧穿两种输运机制的磁电阻理论 ;然后重点介绍掺杂稀土锰氧化物低场磁电阻增强的主要研究进展 ,这些进展背后的基本物理图象是通过人为引入自旋无序介质形成自旋极化散射和自旋极化隧穿 ,从而增强其低场磁电阻 ;第三部分讨论了基于掺杂稀土锰氧化物的磁性隧道结制备和输运性质。本文最后提出了锰氧化物低场磁电阻增强研究应该关注的一些物理问题。The perovskite manganites possessing high degree of spin polarization have been found to exhibit high magnetoresistance under low magnetic field which results from the spin-polarized transport between grains, and is named low-field magnetoresistance (LFMR). In this article we review the major progress in this field, focusing on some theoretical models of LFMR and technical roadmaps to enhance LFMR in manganites. The structure and transport properties such as LFMR of the magnetic tunneling junctions using manganites are discussed.

关 键 词：稀土掺杂 锰氧化物 低场磁电阻效应 自旋电子学 自旋极化散射 自旋极化隧穿 铁磁性材料 

分 类 号：O482.5[理学—固体物理]