一氧化氮诱导小脑颗粒神经元凋亡  

作　　者：卫涛涛[1] 忻文娟[1] 

机构地区：[1]中国科学院生物物理研究所分子生物学研究中心，北京朝阳区100101

出　　处：《怀化医专学报》2003年第1期1-6,共6页

摘　　要：应用电镜观察、ELISA、流式细胞分析等技术方法研究了一氧化氮对原代大鼠小脑颗粒神经元的细胞毒性。结果表明小脑颗粒神经元经一氧化氮供体S—亚硝基谷腕甘肽(GSNO；20μmol/L)处理后逐渐发生细胞凋亡，主要表现为DNA链断裂、染色质凝缩、核破裂、形成凋亡小体。在这一过程中线粒体跨膜电位下降、细胞内ATP含量减少，同时线粒体内过氧化亚硝基合量及细胞内过氧化物合量均增加，说明一氧化氮抑制了线粒体的氧化磷酸化，并引发了氧化应激。在神经元凋亡的过程中伴随有Caspase3的活化以及p53、p21^WAF1/CIP1基因表达量的增加，说明一氧化氮引发的氧化应激可能导致了DNA氧化损伤。超氧阴离子自由基清除剂SOD可以有效抑制一氧化氮导致的氧化应激、阻断细胞凋亡，提示由过氧化物造成的氧化应激是一氧化氮具有神经毒性的重要原因。

关 键 词：一氧化氮 小脑颗粒神经元 细胞凋亡 氧化应激 

分 类 号：R827.17[医药卫生—临床医学]