检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:尹衍升 龚红宇[1] 谭训彦[1] 范润华[1] 甄玉花[1] 陈云[1] 张银燕[1]
机构地区:[1]山东大学材料液态结构与遗传性教育部重点实验室
出 处:《人工晶体学报》2003年第2期99-105,共7页Journal of Synthetic Crystals
基 金:国家自然科学基金资助项目 (No .5 0 2 42 0 0 8);教育部博士点基金资助项目 (No .2 0 0 2 0 42 2 0 0 1)
摘 要:利用EET理论计算了Al2 O3 与Fe3 Al的价电子结构及其部分晶面的电子密度。结果表明 ,两相界面的电子密度差Δρ >10 % ,界面有较大的应力。两相以一定方式取向时 ,可增强结构的稳定性。Valence electron structures and grain plane electron density of Fe 3Al and Al 2O 3 were made based on the calculation of Empirical Electron Theory of Solids and Molecules (EET). The mismatch of grain face electron density between Al 2O 3 and Fe 3Al is larger than 10%(Δρ>10%),indicating the weak bond interface.The structure stability can be enhanced with the same special plane orientation of Al 2O 3 and Fe 3Al.
关 键 词:Fe3Al/Al2O3 纳微米复合材料 界面 电子结构 电子密度
分 类 号:TB332[一般工业技术—材料科学与工程]
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