低能N^+辐照拟南芥诱导基因组DNA碱基变异分析  

作　　者：常凤启[1] 刘选明[1] 李银心[1] 贾庚祥[1] 马晶晶[1] 刘公社[1] 朱至清[1] 

机构地区：[1]中国科学院植物研究所光合作用与环境分子生理学重点实验室,北京100093

出　　处：《中国科学（C辑）》2003年第2期117-124,共8页Science in China(Series C)

基　　金：国家自然科学重大基金资助项目(批准号:19605005)

摘　　要：用低能N^+离子束注入拟南芥后获得的稳定突变体T80Ⅱ作为实验材料,对突变体植株进行了RAPD标记,并将T80Ⅱ和对照部分RAPD特异条带进行克隆测序和DNA序列分析。结果显示,在可分辨的总计397个RAPD条带中,T80Ⅱ株系中有52个条带表现出差异,包括条带的缺失和增加,条带变异率为13.1％;克隆的T80Ⅱ序列中,平均每16.8个碱基出现1个碱基变异位点,表现出较高频率的碱基突变。碱基突变类型包括碱基的颠换、转换、缺失、插入等。在检测到的275个碱基突变中,主要是单碱基置换(97.09％),碱基缺失或者插入的比例较小(2.91％)。在碱基置换中,转换的频率(66.55％)高于颠换的频率(30.55％)。此外,构成DNA的4种碱基均可以被离子束辐照诱发变异,而且每一种碱基都可以被其他3种碱基所替换,但是胸腺嘧啶(T)的辐射敏感性要高于其他3种碱基。通过分析突变碱基周边序列,对低能N^+离子注入拟南芥突变体引发的碱基突变热点进行了讨论。

关 键 词：低能N^+离子束注入 拟南芥 基因组DNA 碱基变异 序列分析 诱变效应 

分 类 号：Q947[生物学—植物学]