检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]芜湖职业技术学院,安徽芜湖241000 [2]安徽工程科技学院,安徽芜湖241000
出 处:《安徽工程科技学院学报(自然科学版)》2003年第2期19-21,共3页Journal of Anhui University of Technology and Science
摘 要:通过分析IGBT的短路特性,提出了驱动与保护电路、缓冲电路的设计方法,最后介绍了一种实用的死区补偿方法,提高了整机的可靠性,有效减少了因开关时滞、死区造成的逆变器输出电压畸变.Modulating frequency drive and protection of IGBT? buffer circui t and latch-up effect were taken into consideration so that higher reliability of inverter using IGBTs can be obtained. A simple method for dead-zone compesa tion is introduced to decrease the wave distortion of output valtage of inverter , caused by on-off delay of IGBT.
关 键 词:绝缘栅晶体管 逆变器 可靠性 死区补偿 IGBT 驱动电路 保护电路 缓冲电路
分 类 号:TN322.8[电子电信—物理电子学] TM464[电气工程—电器]
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