低温半导体热电堆内部温度分布的动态特性分析  

Dynamic Analysis on Temperature Distribution Inside Semiconductor Thermoelectric Modules under Low Temperature

作　　者：王华军[1] 雷廷宙[1] 

机构地区：[1]河南省科学院能源研究所,河南郑州450008

出　　处：《节能技术》2003年第4期7-8,47,共3页Energy Conservation Technology

基　　金：河南省自然科学基金资助项目 ( 0 3 110 5 0 60 0 )

摘　　要：本文建立了低温半导体热电堆的一维非稳态导热方程 ,并采用Binder -Schmidt显式方法 ,对低温热电堆内部温度分布进行了数值计算。分析表明 ,低温半导体热电堆内部温度场在发电循环建立后6 - 1 0s内能够达到平衡状态 。This paper establishes one-dimensional unsteady heat conduction equation of semiconductor thermoelectric modules and numerically calculates temperature distribution using Binder-Schmidt explicit method that can coincide well with experimental results.The results show that semiconductor thermoelectric modules cycle can reach within 6 to 10 seconds under low temperature.Therefore,it has a better dynamic response characteristic.

关 键 词：半导体热电堆 温度分布 数值计算 动态特性 导热方程 Binder—Schmidt显式方法 

分 类 号：TM917[电气工程—电力电子与电力传动]