稀土锰氧化物低场磁电阻效应  

Low-Field Magnetoresistance in Doped Perovskite-Manganites Oxides

作　　者：袁国亮[1] 王克锋[1] 刘俊明[2] 

机构地区：[1]南京大学固体微结构实验室 [2]南京大学物理系,固体微结构物理实验室,教授博士生导师南京210093

出　　处：《自然杂志》2003年第4期196-201,共6页Chinese Journal of Nature

基　　金：国家自然科学基金;国家"973"项目资助

摘　　要：掺杂稀土锰氧化物是典型磁性半导体钙钛矿氧化物,其庞磁电阻(CMR)效应代表了过去10年凝聚态物理探索的电子强关联主要体系之一,同时在自旋电子学中有着潜在的应用前景。要实现自旋电子学应用,必须大幅度提高稀土锰氧化物低场磁电阻效应(LFMR)并深刻理解与此相关的物理问题。本文将阐述LFMR产生的基本原理和研究现状,讨论低场磁电阻效应的理论模型和增强低场磁电阻效应的方法。

关 键 词：稀土锰氧化物 低场磁电阻效应 铁磁性 自旋电子学 人工晶界 磁场约束 

分 类 号：O482.5[理学—固体物理]