AS169微波开关电路的失效原因分析  

Failure Analysis on AS169 Microwave Switch Circuit

作　　者：来萍[1] 李萍[1] 郑廷圭[1] 

机构地区：[1]中国赛宝实验室可靠性研究分析中心,广州510610

出　　处：《电子质量》2003年第8期J011-J012,共2页Electronics Quality

摘　　要：本文介绍了对AS169型微波开关电路进行的失效分析。采用了直流测试、射频测试、样品解剖、芯片观察、电路分析以及实验验证等一系列技术手段,成功地确定了样品的失效原因是:在装配和测试阶段因静电放电(ESD)而导致电路损伤和失效。This paper introduces failure analysis on AS169 microwave switch circuit. Various methods were used, including DC and RF testing, optical and SEM observing, circuit analysis and experimenting verifying. The failure cause were confirmed: ESD damage during assembly and testing causes the degradation and failure of the circuit.

关 键 词：AS169型 微波开关电路 失效分析 静电放电 ESD 静电损伤 

分 类 号：TP17[自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]