半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概述  

Summary Of Gas-Sensing Mechanism Of Semiconductor Metal Oxide Sensitive Material

作　　者：常剑[1] 蒋登高[1] 詹自力[2] 宋文会[2] 

机构地区：[1]郑州大学 [2]郑州大学化工学院

出　　处：《传感器世界》2003年第8期14-18,共5页Sensor World

摘　　要：本文结合半导体金属氧化物的电学特性,从气体分子与半导体金属氧化物气敏材料相互作用的角度出发,对其气敏机理作一概述。由于半导体金属氧化物气敏机理与氧存在密切相关,因而从表面吸附、催化氧化反应的角度研究气敏机理对研究反应机理、提高气敏性能、开发新型气敏材料和掺杂剂有着重要的意义。Combining with the electrical characteristics, Gas-sensing mechanism of semiconductor metal oxide is summarized from the angle of interaction between gas molecule and sensing material. Since the Gas-sensing mechanism of semiconductor metal oxide is close related to the oxygen ,researching gas-sensing mechanism from the angle of catalystic oxidation is significant for revealing the reaction mechanism、improving gas-sensitive property and developing new material and dopant .

关 键 词：半导体金属氧化物 气敏材料 气敏机理 表面吸附 催化氧化反应 气体传感器 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]