国外PtSi-SBIRFPA的技术进展及市场前景  

作　　者：程开富[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第44研究所重庆南坪400060

出　　处：《四川真空》2003年第1期45-55,共11页

摘　　要：本文全面深入地介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列(PtSi-SBIRFPA)的技术进展及市场前景．从制作技术、像元集成度、NETD、光响应均匀性、量子效率、成品率和成本方面把PtSi单片式红外焦平面陈列(PtSi-MIRFPA)与InSb和HgCdTe混合式红外焦平面阵列(InSb和HgCdTeHIRFPA)技术作了详细的比较，评述了PtSi-MIRFPA技术的发展现状和面临的现实，分析了PtSi-MIRFPA技术的应用范围，目前的市场状况和今后的技术前景。

关 键 词：PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列 PtSi-SBIRFPA 红外探测器 红外辐射信号 像素 响应 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]