Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中Cu的层间偏聚及其对磁性的影响  

作　　者：于广华[1] 李明华[1] 朱逢吾[1] 柴春林[2] 姜宏伟[3] 赖武彦[3] 

机构地区：[1]北京科技大学材料物理系,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083 [3]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《中国科学（E辑）》2003年第9期778-782,共5页Science in China(Series E)

基　　金：国家自然科学基金(批准号:19890310)

摘　　要：实验结果表明Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜的交换耦合场Hex要大于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的Hex。为了寻找其原因,用X射线光电子能谱(XPS)研究了Ta(12nm)/NiFe(7um),Ta(12um)/NiFe(7um)/Cu(4um)和Ta(12um)/NiFe(7um)/Cu(3um)/NiFe(5um)3种样品,研究结果表明前两种样品表面无任何来自下层的元素偏聚,但在第3种样品最上层的NiFe表面上,探测到从下层偏聚上来的Cu原子,认为:Cu在NiFe/FeMn层间的存在是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜的Hex低于Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜Hex的一个重要原因。

关 键 词：Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜 交换耦合场 铜 层间偏聚 磁性 

分 类 号：TB43[一般工业技术]