Progress and Research on Interconnects Crosstalk in Deep Submicron Technology  

深亚微米工艺下互连线串扰问题的研究与进展(英文)

作　　者：蔡懿慈[1] 赵鑫[1] 洪先龙[1] 

机构地区：[1]清华大学计算机科学与技术系,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第11期1121-1129,共9页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 16);国家高技术研究发展计划 (No.2 0 0 2 AA1Z14 60 )资助项目~~

摘　　要：As develops in deep sub micron designs,the interconnect crosstalk becomes much more serious.Espe cially, the coupling inductance can not be ignored in gigahertz designs.So shield insertion is an efficient technique to reduce the inductive noise.In this paper,the characteristics of on chip mutual inductance (as well as self) for coplanar,micro stripline and stripline structures are introduced first.Then base on the coplanar interconnect structures,the effective coupling K eff model and the RLC explicit noise model are proposed respectively.The results of experiments show that these two models both have high fidelity.集成电路工艺发展到深亚微米技术后 ,互连线串扰问题变得越来越严重 ,尤其在千兆赫兹的设计中 ,耦合电感的影响不能忽略 .插入屏蔽的操作成为减小耦合电感噪声的有效方法 .文中首先介绍共面、微带状线和带状线三种互连结构下的电感耦合特性 ,然后分别介绍了基于共面互连结构的用于计算互连线噪声的 Keff模型和 RL C精确噪声模型 .实验表明两种模型都有很高的精确度 。

关 键 词：interconnect crosstalk crosstalk noise K  eff   model RLC explicit noise model 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]