绝缘环厚度对200kV箍缩反射离子二极管电参数的影响  

The Effect of Dielectric Ring Thickness of 200kV Pinch Reflex Ion Diode on Diode Electrical Parameters

作　　者：石磊[1] 何小平[1] 张嘉生[1] 邱爱慈[1] 吴祖堂[1] 

机构地区：[1]西北核技术研究所,西安市69信箱13分箱710024

出　　处：《强激光与粒子束》2000年第6期756-758,共3页High Power Laser and Particle Beams

基　　金：国家自然科学基金 :!(19975 0 3 7);国防科技基础研究基金资助课题

摘　　要：给出了箍缩反射离子二极管中绝缘环厚度的选择原则 ,并从实验上给出了 2 0 0 k V箍缩反射离子二极管的绝缘环厚度对离子束和二极管电参数的影响 ,当绝缘环厚度为 2～ 3 mm时 ,二极管总电流峰值和离子束流峰值都较大 ,加速器系统工作状态较稳定。WT5”BZ]The dielectric ring thickness of pinch reflex ion diode is roughly calculated, the effect of dielectric ring thickness of 200kV pinch reflex ion diode on ion beams and diode electric parameters is studied. The experimental results show when dielectric ring thickness in the range of 2～3mm the accelerator system can work in good condition with high ion beam and total beam currents. [WT5”HZ]

关 键 词：箍缩反射离子二极管 绝缘环 离子束流 阻抗 电参数 强流脉冲电子束加速器 

分 类 号：TL506[核科学技术—核技术及应用]