在解复用模块设计中有效折射率变化的研究  

Research on Demultiplexier Based on Change of Effective Index

作　　者：邱海军[1] 刘育梁[1] 李芳[1] 贺月娇[1] 田珂珂[1] 辛红丽[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所光电子研发中心,北京100083

出　　处：《光电子．激光》2003年第11期1168-1170,共3页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家自然科学基金重大课题资助(90104003);国家重点基础研究发展规划资助项目(G2000036602)

摘　　要：研究了基于SOI(silicon on insulator)材料的阵列波导光栅(AWG)分波器件,给出了此器件材料色散的数值拟合公式,进而利用BPM方法研究了材料色散脊型波导结构变化和器件制做中刻蚀深度误差对波导有效折射率和波分复用模块性能的影响。结果表明,刻蚀深度误差对模块性能优劣起关键作用。The fit expression of silicononinsulator(SOI) material dispersion was deduced.The relationship between the waveguide effective index and material dispersion,change of rib structure errer of etched depth were analysed with BPM method.The results show that the error of etched depth plays key role on demultiplexier module.

关 键 词：阵列波导光栅 有效折射率 波分复用 刻蚀 光分插复用 解复用 

分 类 号：TN252[电子电信—物理电子学]