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作 者:朱绍将[1] 刘翔[1] 彭巨擘[1] 严磊[1] 张鹏翔[1]
机构地区:[1]昆明理工大学光电子新材料研究所,云南昆明650051
出 处:《贵金属》2003年第4期49-52,共4页Precious Metals
基 金:云南省应用基础基金 ( 1999E0 0 0 3Z);国家自然科学基金 ( 10 2 740 2 6)资助项目
摘 要:用脉冲激光溅射 (PLD)法在LaAlO3( 1 0 0 )单晶衬底上制备了掺 4 0wt%Ag的超巨磁电阻材料La0 67Ca0 33MnO3薄膜。在氧气氛中经高温处理后薄膜显示了近室温的金属 -绝缘体相变点 (TMI≈ 30 0K) ,与通常提高TMI的结果相比较 ,此工艺较好地保持了材料相变点区间的陡度 ,且电阻温度系数 (TCR)在此区内仍达到 8%。这为制造近室温磁敏感元件、自旋电子学器件、辐射热探测器等提供了重要材料。La 0.67Ca 0.33MnO 3 thin film doped with 4.0 wt%Ag,which is a typical colossal magnetoresistance material,has been grown in situ on (100) LaAlO 3 substrates using a pulsed laser deposition technique.The films show the highest so far metal-insulator transition temperature (T MI≈300 K) after a post annealing treatment in high temperature and high oxygen pressure.Compared with other methods to improve the T MI,this process keeps the transition of resistance in a narrow temperature range.The temperature coefficient of resistance (TCR) of the films reaches 7%,therefore it is an important material for the magnetic-sensitivity devices,spintronics devices and bolometer,which can work near the room temperature.
关 键 词:低维金属材料 超巨磁电阻材料 金属-绝缘体相变 电阻温度系数 薄膜 脉冲激光溅射 退火
分 类 号:TM27[一般工业技术—材料科学与工程] O484.4[电气工程—电工理论与新技术]
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