新型垂直腔半导体光放大器中有效腔长的理论分析  

Theoretic analysis on the effective cavity length of new vertical-cavity semiconductor optical amplifiers

作　　者：姚海峰[1] 潘炜[1] 罗斌[1] 吕鸿昌[1] 

机构地区：[1]西南交通大学计算机与通信工程学院

出　　处：《激光杂志》2003年第6期9-10,共2页Laser Journal

基　　金：国家自科学基金 (No .10 1740 5 7);宽带光纤传输与通信系统技术国家重点实验室开放课题资助

摘　　要：从新型垂直腔半导体光放大器 (VCSOAs)典型的对称模型出发 ,分析了入射光在微腔中的分布布喇格反射器 (DBRs)上由于反射延迟而导致相位渗透 ,进而增加了有源区的额外长度 (有效腔长 )。计算得出了相位渗透深度随DBRs相对折射率差变大而变小 ,同时给出了反射模下VCSOAs增益峰值、增益带宽积随有效腔长变大而下降的规律。The phase penetration is analyzed for the reflection delay on the Distributed Bragg Reflectors(DBRs)from the new vertical-cavity semiconductor optical amplifiers'(VCSOAs)symmetrical model.The phase penetration extends the active region with the “additional length”(effective cavity length).The calculated results show the phase penetration depth decreases along with the DBRs'relatively refractive index difference increase and present the VCSOAs'gain and gain-bandwidth product decrease with the effective cavity length increase.

关 键 词：垂直腔面发射激光器 光放大器 有效腔长 相位渗透 VCSOAs 折射率 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]