高压半导体功率器件的寿命控制工程述评  

Lifetime Control in High-voltage Semiconductor Power Devices

作　　者：贾云鹏[1] 亢宝位[1] 吴郁[1] 吴鹤[1] 

机构地区：[1]北京工业大学,北京100022

出　　处：《电力电子技术》2003年第6期89-91,共3页Power Electronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.69836010);北京市自然科学基金资助项目(No.4022004);北京市教委资助项目(批准号:2002KG009)

摘　　要：对应用于高压功率器件的寿命控制技术进行了述评。着重分析了高能H+辐照、He2+辐照等局域寿命控制技术,利用这种技术有可能实现高压功率器件突破性的进展。This article reviews the lifetime control techniques for high-voltage power devices.Especially, an emphasized analysis and prospect are focused on high-energy H~ + and He~ 2+) irradiation,the axial lifetime control techniques are most possible to promote great improvement and progress of power devices.

关 键 词：半导体 半导体元器件/寿命控制技术 轻离子辐照 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学] TN34