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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:张祺[1] 刘友江[1] 曹韬[1] 周劼[1] 陈文华[2]
机构地区:[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,绵阳621900 [2]清华大学电子工程系,北京100084
出 处:《微波学报》2015年第5期77-81,共5页Journal of Microwaves
摘 要:提出一种低复杂度的带限记忆多项式模型,通过对由低阶带限滤波器构成的带限记忆多项式模型的建模误差进行前向弥补,可以有效地降低模型所需的滤波器阶数和提高模型的建模精度,从而降低模型的复杂度。实验中,采用一款功率为35W的AB类Ga N功放和带宽为60MHz的OFDM信号证明这种方法的优越性,实验结果表明,提出的方法与传统的带限记忆多项式模型相比,复杂度更低且精度更高。This paper proposed a complexity-reduced band-limited memory polynomial model. It is achieved by forward compensating the modeling error caused by the band-limited memory polynomial with low order band-limiting filter,which reduces the required order of band-limiting filter and improves the accuracy significantly. A class-AB Ga N PA excited by a 60 MHz bandwidth orthogonal frequency division multiplexing( OFDM) signal was tested to validate this approach. Experimental results presents that the new model has much lower complexity and higher accuracy.
关 键 词:AB类氮化镓功放 带限记忆多项式 带限滤波器 数字预失真 正交频分复用(OFDM)
分 类 号:TN722.75[电子电信—电路与系统] TN713
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