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机构地区:[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室,上海200050
出 处:《微波学报》2015年第6期39-43,共5页Journal of Microwaves
基 金:上海市科委"科技创新行动"(13511500700)
摘 要:介绍了一款高灵敏度W波段功率检波器芯片的设计及其封装测试结果。该检波器电路采用标准0.1μm Ga As p HEMT工艺设计加工制造完成。封装测试结果显示,当射频输入信号功率为-15d Bm时,检波电路在90~95GHz频率范围内的电压灵敏度大于6000m V/m W。该电路具有很好的宽带特性,可以工作在86~100GHz频率范围内,几乎覆盖了W波段的所有常用频率。此外,该检波器电路芯片结构紧凑,面积仅为2×1mm2,适合高密度的射频前端集成。This paper describes the design and packaged measurement results of a W-band high sensitivity power detector. The proposed detector is developed in a standard 0. 1μm Ga As p HEMT technology. The measured results of packaged module indicate that when the input power of RF signal is- 15 d Bm,the voltage sensitivity is better than 6000 m V / m W from90 GHz to 95 GHz. The module achieves a good wide-band performance,and the span of the operation frequency covers from86 GH to 100 GHz which are extensively used in common W band applications. In addition,this chip has a compact structure which occupies 2 × 1mm^2,making it an ideal candidate for high density RF front-end integration.
关 键 词:低噪声放大器 W波段检波器 宽带检波器 高电压灵敏度
分 类 号:TN763.1[电子电信—电路与系统]
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