L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管  

Broadband L-band 250 W Silicon Pulsed Transistors

作　　者：硅微波脉冲功率晶体管攻关组 

机构地区：[1]南京电子器件研究所

出　　处：《固体电子学研究与进展》2003年第3期373-373,共1页Research & Progress of SSE

关 键 词：L波段 硅微波脉冲功率晶体管 功率增益 性能 功率密度 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]