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作 者:张其震[1] 殷晓颖[1] 王大庆[2] 李光[3] 季怡萍[3] 赵晓光[3]
机构地区:[1]山东大学化学化工学院,济南250100 [2]山东师范大学测试中心,济南250014 [3]中国科学院长春应用化学研究所,长春130022
出 处:《高等学校化学学报》2004年第1期170-173,共4页Chemical Journal of Chinese Universities
基 金:国家自然科学基金 (批准号 :2 98740 2 0 ;59573 0 2 9);中国科学院高分子物理重点实验室基金资助
摘 要:用发散法合成以四碳硅烷为核心 ,周边含 10 8个己氧基偶氮苯介晶基元 ( M3)端基的三代树状碳硅烷( D3)液晶 ,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外光谱、紫外光谱、偏光显微镜、差示扫描量热 ( DSC)和 X射线衍射法 ( WAXD)进行表征 .D3为向列相液晶 ,与 M3相同 ,三代 ( D3)、二代( D2 )和一代 ( D1)树状物的相态由介晶基元的相态决定 .D3的液晶态相行为是 K79N136 I132 N,D3的熔点比 M3的低 19℃ ,D3的清亮点比 M3的增加 16℃ ,D3液晶态温区比 M3宽 35℃ .The divergent synthesis of a new carbosilane liquid crystalline(LC) dendrimer of the third generation(D3) was discribed. One hundred and eight 4-hexyloxyazobenzene groups were used as mesogenic fragments and attached in periphery and four carbosilane as the core. The structure and properties of D3 were characterized by elemental analysis, 1H NMR, MALDI-TOF-MS, IR, UV-Vis, polarizing optical micrograph, DSC and WAXD. D3 is a nematic liquid crystal, which is the same as M3.The mesomorphic behaviour of the dendrimer depends on that of the mesogenic units. The phase behavior of D3 is K79N136I132N. The melting point of D3 is 19 ℃ lower than that of M3, and the clearing point of D3 is 16 ℃ higher than that of M3 and the mesophase region of D3 is 35 ℃ wider than that of M3.
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