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作 者:韩元山[1] 刘君安[1] 沈卫兵[1] 王常珍[1] 翟玉春[1] 田彦文[1]
出 处:《材料导报》2003年第11期78-81,共4页Materials Reports
基 金:国家自然科学基金(50174015)
摘 要:采用温度下降法在实验室条件下制备了氟化镧{纯LaF_3及掺杂(Sm,Eu,Ga)F_3、CaF_2的LaF_3}单晶。用交流电桥法测定了20~100℃范围內这些单晶的离子导电率,得出其离子导电率在10^(-6)Scm^(-1)数量级。用交流阻抗谱的方法在100~400℃范围内、氩气保护下测定了氟化镧{LaF_3掺杂1%(Sm,Eu,Ga)F_3、2.05%CaF_2}单晶及市售氟化镧{LaF_3掺杂(0.2%EuF_2、5%CaF_2)}单晶的阻抗谱,求得单晶离子电导率皆在10^(-4)Scm^(-1)数量级。Lanthanum floride single crystals [pure LaF3, mixed (Sm,Eu,Ga) F3 or CaF2] were preparated by means of temperature decrease at laboratory. Ionic conductivity of these lanthanum floride single crystals were measured using AC bridge. In the range 20 - 100℃, it was of the order 10-6 Scm-1. Impedance spectroscopy of lanthanum floride single crystals [LaF3 mixed 1% (Sm,Eu,Ga)F32. 05%CaF2,LaF3 mixed 0. 2%EuF25% CaF2] were also measured in the range 100-400℃ under argon atmosphere,and ionic conductivity was af the order of 10-4 Scm-1 for both single crystals.
关 键 词:温度导向法 氟化镧 电导率 交流电桥法 离子晶体 LAF3
分 类 号:TB333[一般工业技术—材料科学与工程] O614.331[理学—无机化学]
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