提高电泳法制备YBCO超导厚膜J_c的途径  

作　　者：朱亚彬[1] 周岳亮[1] 王淑芳[1] 刘震[1] 熊季午[1] 陈正豪[1] 吕惠宾[1] 杨国桢[1] 肖玲[2] 任洪涛[2] 焦玉磊[2] 郑明辉[2] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所光物理实验室中国科学院凝聚态物理中心,北京100080 [2]北京有色金属研究总院,北京100088

出　　处：《中国科学（G辑）》2003年第6期495-501,共7页

基　　金：国家重大基础研究资助项目(批准号:G1999064604)

摘　　要：电泳法制备YBCO超导厚膜的研究屡见报道,然而其临界电流密度较低。通过引入不同比例的Y_2BaCuO_5(Y211)粒子作为磁通钉扎中心,将顶部籽晶技术和熔融织构工艺相结合,并且采用高压氧处理调节氧含量的均匀性,制备出织构的YBCO超导厚膜,有效改善了晶界弱连接,提高了临界电流密度。实验证明,在YBa_2Cu_3O_(7-δ)(Y123)电泳粉末中掺入40 mol％Y211,制备出YBCO超导厚膜的临界电流密度达到7.008×10~3A/cm^2(77K),高于当前报道用电泳法制备的厚膜最高临界电流密度。

关 键 词：电泳法 YBCO超导膜 临界电流密度 磁通钉扎 X射线衍射 顶部籽晶技术 熔融织构工艺 

分 类 号：TB43[一般工业技术]