IGCT在快脉冲条件下开通过程研究  被引量:1

Research on fast pulse switching process of IGCT

在线阅读下载全文

作  者:杨晓亮[1] 罗光耀[1] 罗敏[1] 金晖[1] 王朋[1] YANG Xiaoliang;LUO Guangyao;LUO Min;JIN Hui;WANG Peng(Science and Technology on High Power Microwave Laboratory,Institute of Applied Electronics,China Academy of Engineering Physics,Mianyang Sichuan 621999,China)

机构地区:[1]中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室,四川绵阳621999

出  处:《太赫兹科学与电子信息学报》2017年第5期861-866,共6页Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology

基  金:国家高技术发展支持项目(61404038;11205038);黑龙江省博士后科学基金资助项目(LBH-Z14073);中央基本科研业务费专项资金资助项目(HIT.NSRIF.2015001)

摘  要:集成门极换流晶闸管(IGCT)开关具有耐压高、通流能力强、工作重频高的特点,然而在纳秒级脉冲功率系统中应用较少。本文以株洲南车生产的非对称性IGCT做开关,通过搭建脉冲形成网络(PFN)纳秒级放电回路,初步研究了IGCT在快放电过程中的开关导通情况。通过理论分析、数值模拟和实验验证发现,目前工业领域的IGCT器件由于触发电流难以有效扩展导通,导致IGCT导通速度存在饱和值,很难在纳秒级别的脉冲下直接实现开关作用,但可以作为脉冲压缩的前级开关使用。Integrated Gate Commutated Thyristor(IGCT)switches are widely applied in electric and electronics industry for its high voltage,large current and high working frequency.Nevertheless,IGCT switches are rarely adopted in nanosecond long pulse power systems.Through constructing nanosecond Pulse Forming Network(PFN)discharge electric circuit,the switching process of unsymmetrical IGCT produced by Rolling Stock Corporation(RSC)company is investigated under fast pulse conditions.Through theoretic analysis and numerical simulation,it shows that it is difficult for the triggering currency to be expanded and switched efficiently,which causes the velocity of IGCT and expending speed will reach saturated values,and therefore,the industrial IGCT cannot achieve a direct role in the nanosecond level switching pulses,but can be used as pulse compression pre-switch.

关 键 词:集成门极换流晶闸管 固态源 脉冲功率 快脉冲 

分 类 号:TN34[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

正在载入数据...

 

二级参考文献:

正在载入数据...

 

耦合文献:

正在载入数据...

 

引证文献:

正在载入数据...

 

二级引证文献:

正在载入数据...

 

同被引文献:

正在载入数据...

 

相关期刊文献:

正在载入数据...

相关的主题
相关的作者对象
相关的机构对象