光子晶体微腔半导体激光器的研究进展  

Research Progress of Photonic Crystal Micro-Cavity Semiconductor Laser

作　　者：高鹏[1] 毛陆虹[1] 李斌桥[1] 陈弘达[2] 孙增辉[2] 陈永权[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072 [2]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083

出　　处：《高技术通讯》2003年第12期94-97,共4页Chinese High Technology Letters

基　　金：863计划 ( 2 0 0 1AA3 12 0 80;2 0 0 2AA3 12 2 40 )资助项目

摘　　要：概述了光子晶体微腔半导体激光器的研究进展 ,从物理机理、数值模拟、以及工艺实现方法等方面作了详细的叙述 ,并对其在光子集成中的应用前景进行了展望。The research progress of photonic crystal micro-cavity semiconductor laser was presented in this paper, the physical mechanism, numerical simulation, and fabrication process were detailed.

关 键 词：光子晶体微腔半导体激光器 PBG 垂直腔面发射激光器 VCSEL 光子禁带 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]