Surface States in the AlxGa1-xN Barrier in AlxGa1-xN／GaN Heterostructures  

作　　者：刘杰 沈波 王茂俊 周玉刚 陈敦军 张荣 施毅 郑有炓 

机构地区：[1]NationalLaboratoryofSolidStateMicrostructuresandDepartmentofPhysics,NanjingUniversity,Nanjing210093

出　　处：《Chinese Physics Letters》2004年第1期170-172,共3页中国物理快报（英文版）

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]