过电离等离子体复合升温和绝热膨胀  

ADIABATIC COOLING AND RECOMBINATION HEATING IN EXPANDING RECOMBINATION PLASMA

作　　者：蓝可[1] 张毓泉[1] 

机构地区：[1]北京应用物理与计算数学研究所

出　　处：《强激光与粒子束》1995年第4期499-504,共6页High Power Laser and Particle Beams

摘　　要：给出了类Ｈ－Ｃ离３ｄ＿（５／２）－２ｐ＿（３／２）跃迁复合机制产生Ｘ光激光的电子密度、电子温度增益目标区域，研究了电离转复合处等离子体特征、复合阶段电子密度变化规律及影响电子温度的两个主要因素：作功冷却与复合升温，并给出了这两个因素的近似表达式。Objective region of gain in N_e/T_e plane for 3d_(5/2)-2p_(3/2) transitions in H-like ion in recombination C plasma is given. The characteristics of plasma at the juncture of ionization and recombination are obtaine.Adiabatic cooling W_p and recombination heating W_s are studied and their approximate expressions are given.

关 键 词：复合升温 绝热膨胀 复合机制 X光激光 增益目标 过电离等离子体 电子温度 电子密度 

分 类 号：O532.2[理学—等离子体物理]