650MHz÷10/11预置分频器工艺研究  

A Technology for 650MHz÷10/11 Prescaler

作　　者：李荣强[1] 殷登国[1] 

机构地区：[1]机电部第24研究所,重庆永川632167

出　　处：《微电子学》1992年第2期14-17,共4页Microelectronics

摘　　要：本文介绍了改进后的氧化物隔离等平面-I工艺在专用集成电路中的应用,采用这种工艺制作的650MHz÷10/11预置分频器通过了军用考核(-55℃～+85℃)标准,常温下最高工作频率可达740MHz。The application of an improved technology of oxide-isolation isoplanar-I to ASICs is presented in the paper. A 650MHz÷10/11 prescaler with max operating frequency up to 740MHz at ambient temperature has been fabricated, which passed the military test standards.

关 键 词：隔离工艺 分频器 ASIC 集成电路 

分 类 号：TN772[电子电信—电路与系统]