半导体用超薄介质膜的生长和特性  

作　　者：奠铭 

出　　处：《微电子学》1992年第2期62-69,共8页Microelectronics

摘　　要：随着集成电路器件物理尺寸的减少,介质膜的厚度也必然相应减少。而介质膜厚度的减小又会产生一些不希望有的物理的和电学的效应,特别是通常采用的二氧化硅介质膜厚小于15nm时,这些影响更为突出。在介绍这类薄二氧化硅的生长动力学和特性时,还分析了用氮氧化硅或氮化硅来代替二氧化硅的可能性,并对这种介质的性质及其在未来半导体工艺中应用的可能性作了比较。

关 键 词：半导体 介质膜 生长 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]