多孔硅的干燥方法  

Drying of Porous Silicon

作　　者：虞献文[1] 朱荣锦[2] 朱自强[2] 应桃开[3] 李爱珍[4] 

机构地区：[1]浙江师范大学数理学院,金华321004 [2]华东师范大学信息科学技术学院,上海200062 [3]浙江师范大学生命环境科学学院,金华321004 [4]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第6期663-667,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :6992 5 40 9);上海市科学技术发展基金 (批准号 :0 15 2 110 66;0 12 2 610 2 8)资助项目~~

摘　　要：研究了多孔硅的阴极还原表面处理技术 ,通过该技术获得了表面平滑度良好、稳定度高、抗压强度高和耐高温性能好且在空气中可以长期干燥保存的多孔硅样品 .在其表面上可以进行光刻、镀金等工艺 ,因此 。The technique of porous silicon surface post-treatment using cathode reduction is reported.The porous silicon obtained by this technique is stable and has good mechanical intensity,endurance high-tempereture resistance,smoothness surface,and drying to be conserved for long time in the air.It can be gilded,photoengraved and can make devices,even electric circuit integrate.

关 键 词：多孔硅 阴极还原 表面处理技术 

分 类 号：TQ127.2[化学工程—无机化工]