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作 者:王瑞平[1] 黄大金[1] 石勤伟 许鹏 陈琦 顾根大[2] 蔡维理[2] 周贵恩[3] 阮耀钟[2]
机构地区:[1]中国科学技术大学物理系,合肥230026 [2]中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥230026 [3]中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,合肥230026
出 处:《物理学报》1992年第7期1147-1150,共4页Acta Physica Sinica
摘 要:测量了Bi_2Sr_2CaCu_2O_8单晶a方向的热电势率Sa和b方向的热电势率Sb与温度T的关系,发现在a-b平面内热电势率存在各向异性。认为Sa与Sb的差异来源于b方向的调制结构,并用扩散热电势率Sd,声子曳引热电势率Sg和相关跳跃热电势率Sh三种贡献,对实验结果进行了解释。The temperature dependences of the thermoelectric power of a single crystal Bi2Sr2CaCu2O8 were measured in both the a and b directions. We discovered the anisotropy of thermoelectric power in the a-b plane of the crystal. Suggeste that the differences between Sa and Sb are caused by the modulate structure in the b direction. A satisfactory explanation is given by taking into account the contributions of the relatively mobile electrons Sd, the relatively localized electrons Sk and the phonon drag effect Sg.
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