多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟  

Monte Carlo simulation of a multi-tunnel-junction single-electron dynamic memory

作　　者：许海霞[1] 李钱光[1] 杨毅[1] 闵永泉[1] 李志扬[1] 刘武[1] 

机构地区：[1]华中师范大学纳米技术实验室,湖北武汉430079

出　　处：《电子显微学报》2003年第3期214-218,共5页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：高等学校骨干教师资助计划;湖北省自然科学基金资助项目

摘　　要：本文采用MonteCarlo方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性 ,考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的影响 。The paper simulated the behavior of a multiple tunnel junction single electron dynamic memory by means of Monte Carlo method. The storage time and total charging charge of the device under the influence of such parameters as the number, capacitance and resistance of tunnel junction and the magnitude of voltage pulse have been investigated separately and compared with that of a classic RC circuit.

关 键 词：蒙特卡罗模拟 单电子动态存储器 多隧道结 隧道结电容 隧道结电阻 脉冲电压幅度 存储时间 充电电荷 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]