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作 者:杨飒[1] 周美玲[1] 王金淑[1] 李洪义[1] 张久兴[1]
机构地区:[1]北京工业大学材料科学与工程学院,北京100022
出 处:《中国有色金属学报》2004年第1期18-22,共5页The Chinese Journal of Nonferrous Metals
基 金:国家重点基础研究发展规划资助项目(G1998061316);北京市自然科学基金资助项目(29920006)
摘 要:研究了复合稀土氧化物钼铼金属陶瓷阴极的二次电子发射系数和抗暴露大气性能,对发射后的表面进行了表面分析,并与单元、复合稀土钼金属陶瓷阴极进行了对比。研究结果表明:加入微量铼的复合稀土氧化物钼金属陶瓷阴极的二次电子发射系数可提高8%,其最大次级发射系数δm为2.65,且具有较好的抗暴露大气性能。Properties of secondary emission and atmosphere exposure characteristic for molybdenum cathode doped with rare earth(RE) oxides and Re were investigated. Microstructures of the sinter were analyzed using SEM, and compared with one of molybdenum cathode doped with different RE oxides sinter. The results show that the secondary emission coefficient of the RE-Mo sinter can be increased by 8%. The maximum secondary emission coefficient(δ_m) is 2.65. The emitter possesses the better property of exposition in atmosphere.
关 键 词:磁控管 阴极 稀土氧化物 钼 铼 金属陶瓷 次级电子发射
分 类 号:TN123[电子电信—物理电子学]
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