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作 者:吕惠宾[1] 戴守愚[1] 陈正豪[1] 颜雷[1] 周岳亮[1] 杨国桢[1]
机构地区:[1]中国科学院物理研究所光物理实验室,中国科学院凝聚态物理中心,北京100080
出 处:《科学通报》2003年第10期1016-1018,共3页Chinese Science Bulletin
基 金:国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G1998061412).
摘 要:用激光分子束外延成功地制备出钙钛矿氧化物La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3 p-n结, 首次观测到钙钛矿结构氧化物p-n结电流的磁调制和巨磁电阻效应. 其巨磁电阻特性与掺杂的镧锰氧化物是非常不同的, 当温度为300, 200和150 K时, p-n结具有正磁电阻特性; 当温度为100 K时, 在低磁场条件下, p-n结呈现正磁电阻特性, 随着磁场强度的增加, p-n结变为负磁电阻特性. p-n结的磁电阻变化率△R/R0(△R = RH -R0, R0是外磁场为0时p-n结的电阻, RH是外磁场强度为H时p-n结的电阻) 在300 K条件下, 当磁场强度为0.1和5 T时, 达到8%和13%; 在200 K条件下, 当磁场强度为5 T时, 达到41%; 在150 K条件下, 当磁场强度为1 T时, 达到40%; 在100 K条件下, 当磁场强度为0.13和5 T时, 达到10%和-60%.
关 键 词:钙钛矿氧化物 P-N结 巨磁电阻 激光分子束外延 磁调制 掺杂 正磁电阻 负磁电阻 磁场强度
分 类 号:TN304.055[电子电信—物理电子学]
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