自组装Ge/Si量子点的研究进展  

作　　者：黄昌俊[1] 余金中[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电国家重点联合实验室,北京100083

出　　处：《自然科学进展》2004年第1期28-33,共6页

基　　金：国家自然科学基金重大项目(批准号:69896260);国家重点基础研究发展规划项目(G2000036603)资助

摘　　要：回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及提高Ge量子点尺寸和分布均匀性的各种方法.

关 键 词：量子点 锗/硅材料 硅基光电子学 自组装材料 形貌演变 研究进展 

分 类 号：TN304.1[电子电信—物理电子学] TN201