当前IC制造的几种新工艺  

The Several New Technology of IC Manufacturing Today

作　　者：翁寿松[1] 

机构地区：[1]无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡214002

出　　处：《电子工业专用设备》2004年第2期70-75,共6页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：2001《国际半导体技术指南(ITRS)》要求2004年IC芯片特征尺寸达90nm。为了实现这个规划,必须采用IC制造的多种新工艺,如铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等。The ITRS2001demands that the IC chip feature size achieves90nm in the year2004.In or-der to realize the ITRS2001,the many new technology of IC manufacturring must be used,such as the Cu interconnection,the low-k insulating layer,the CMP,the high-k insulating layer,the strained silicon and SOI etc.

关 键 词：芯片 IC制造 新工艺 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]