GAS超临界重结晶过程中的晶形控制问题  

Crystalline Form Control in the Process of Supercritical Gas Antisolvent Recrystallization

作　　者：王保民[1] 张景林[2] 邸运兰[2] 

机构地区：[1]北京理工大学机电工程学院,,北京100081 [2]华北工学院环境与安全工程系,,山西太原030051

出　　处：《火工品》2001年第2期11-13,17,共4页Initiators & Pyrotechnics

摘　　要：介绍了GAS超临界重结晶过程的概念、原理、实验方法 ,并从晶体生长动力学角度建立模型 ,分析讨论了HMX超临界重结晶过程中出现不同晶形的原因。研究表明 。This paper introduces the concept, theory and experiment of the process of GAS supercritical recrystallization, and discusses the reason of different crystalline forms of HMX in the process of supercritical recrystallization by building the dynamic model of crystal growth. The study shows that the effect on crystalline form of HMX is synthetic one but not single.

关 键 词：GAS 超临界重结晶 晶形控制 HMX 晶体生长 炸药 

分 类 号：TQ560[化学工程—炸药化工]