多孔硅传感器的研究进展  

Progress in Porous Silicon Sensors

作　　者：崔昊杨[1] 李宏建[1] 谢自芳[1] 赵楚军[1] 彭景翠[1] 

机构地区：[1]湖南大学光电子材料研究所,长沙410082

出　　处：《材料导报》2004年第3期35-37,共3页Materials Reports

基　　金：湖南省自然科学基金(98JJY2047);湖南大学科学基金(重点)(2002A08)

摘　　要：综述了几种常见的多孔硅传感器的制备方法与敏感特性,并着重对气敏、湿敏、生物敏多孔硅传感器的传感机理做了详细的介绍,论述了多孔硅传感器研究的新动向,展望了它的未来发展。Some aspects of porous silicon sensors are discussed in this paper, including their fabrication methods and sensitivity characteristics, with focus on the principle of gas sensors, humidity sensors and biosensors. New trends in this area are also reviewed.

关 键 词：多孔硅传感器 制备方法 敏感特性 电导率 介电常数 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]