Co-Design of Monolithically Integrated Photo-Detector and Optical-Receiver  

单片集成光电探测器与接收机的协同设计(英文)

作　　者：高鹏[1] 陈弘达[1] 毛陆虹[1] 贾九春[1] 陈永权[2] 孙增辉[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083 [2]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第2期133-137,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目 ( Nos.2 0 0 1AA3 12 0 80 ,2 0 0 1AA12 2 0 3 2,2 0 0 2 AA3 12 2 40)~~

摘　　要：A behavioral model of the photodiode is presented.The model describes the relationship between photocurrent and incident optical power,and it also illustrates the impact of the reverse bias to the variation of the junction capacitance.According to this model,the photodiode and a CMOS receiver circuit are simulated and designed simultaneously under a universal circuit simulation environment.建立了光电探测器的行为模型 .此模型描述了注入光功率与光生电流的关系 ,以及反偏电压对光生电流与结电容的影响 .给出了在统一的 SPICE设计环境中对光电子器件与电路协同设计的方法 ,并对光电探测器与 CMOS接收机电路进行了设计 .

关 键 词：monolithically integrated CO-DESIGN behavioral model 

分 类 号：TN365[电子电信—物理电子学]