多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质  

Effects of Nitrogen Implantation into Poly-Silicon Gate on 4.6nm Gate Oxide Properties

作　　者：谭静荣[1] 许晓燕[1] 黄如[1] 程行之[1] 张兴[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第2期227-231,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 0 1);国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4)资助项目~~

摘　　要：为了改善深亚微米 CMOS器件 p+ - poly栅中硼扩散问题 ,通过选择合适的注氮能量和剂量 ,采用多晶硅栅注氮工艺 ,既降低了硼在多晶硅栅电极中的扩散系数 ,又在栅介质内引入浓度适宜的氮 ,有效地抑制了硼在栅介质内的扩散所引起的平带电压漂移 ,改善了 Si/Si O2 界面质量 ,提高了栅介质和器件的可靠性 ,制备出了性能良好的4 .6 nm超薄栅介质 .To suppress boron impurities' diffusion into channel,nitrogen implantation into polysilicon gate is performed at optimized dose and energy.Boron impurities' diffusion in polysilicon is suppressed,and some nitrogen are introduced into gate oxide.As a result,the Si/SiO 2 interface is improved and the flat band voltage shift induced by boron diffusion into channel is suppressed,which result in good reliability.

关 键 词：注氮 应力诱生泄漏电流 电介质击穿 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]