一种高精度的CMOS带隙基准电压源  

A Precise CMOS Bandgap Voltage Reference

作　　者：黄晓敏[1] 沈绪榜[1] 邹雪城[1] 蒋湘[1] 

机构地区：[1]华中科技大学图像识别与人工智能研究所,湖北省武汉市430074

出　　处：《电子工程师》2004年第3期13-15,共3页Electronic Engineer

摘　　要：设计了一种采用 0 .2 5 μmCMOS工艺的高精度带隙基准电压源。该电路结构新颖 ,性能优异 ,其温度系数可达 3× 10 - 6 /℃ ,电源抑制比可达 75dB。还增加了提高电源抑制比电路、启动电路和省功耗电路 ,以保证电路工作点正常、性能优良 ,并使电路的静态功耗较小。A bandgap voltage reference using 0.25μm CMOS process is described. SPECTRE simulation shows that the average temperature coefficient(TC) is 3ppm/℃ from -10 ℃ to 70 ℃ and the average power supply rejection ratio(PSRR) is 75 dB from 2.25 V to 2.75 V at 27 ℃.

关 键 词：CMOS 带隙 基准电压源 电源抑制比 静态功耗 

分 类 号：TN86[电子电信—信息与通信工程]