掺氮直拉硅单晶的研究和应用  

作　　者：杨德仁[1] 阙端麟[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室

出　　处：《中国集成电路》2004年第3期28-31,共4页China lntegrated Circuit

摘　　要：掺氮直拉硅单晶是最早由我国实现产业化并系统研究的集成电路用基础材料,它具有容易消除微缺陷,低成本制备高质量内吸杂洁净区和增加机械强度等优点,这对大直径的现代集成电路用硅片尤其重要。经过10多年的研究和开发,掺氮直拉硅单晶的优越性能逐渐被国际硅产业界和集成电路产业界所接受,目前已经在国际硅工业界相当广泛地使用。

关 键 词：掺氮直拉硅单晶 集成电路 微缺陷 硅中氮 机械强度 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]