光注入X结GaAs全光开关的设计  

The Design of Photo-injected X Junction GaAs All Optical Switch

作　　者：陈克坚[1] 杨爱龄[1] 唐奕[1] 江晓清[1] 王明华[1] 

机构地区：[1]浙江大学信息工程与电子工程系,浙江杭州310027

出　　处：《光电子．激光》2004年第4期406-409,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60177012);国家重点基础研究发展规划资助项目(G1999033104)

摘　　要：设计了一种基于全内反射原理和光生载流子注入效应的X结全内反射(TIR)全光开关。通过对传统X结的改进提高了器件的性能。模拟结果表明,改进后的X结的消光比可以达到30dB左右。串音小于-30dB。同时分析了该全光开关所具有的速度优势,其开关速度可达100～102ns。A photo-induced carriers injection effect all optical switch was designed.Through the improvement of traditional total internal reflection(TIR) X junction,good performance was obtained.The results of simulation shown that the extinction ratio of this type X junction all optical switch is more than 30 dB and the crosstalk is less than -30 dB.The virtue of switch speed was also analyzed,its speed is about 10~0～10~2 ns.

关 键 词：全内反射 光注人 全光开关 砷化镓 X结GaAs 开关速度 器件设计 

分 类 号：TN25[电子电信—物理电子学]