10GH_z铌酸锂(LiNbO_3)电光调制器的电极设计(英文)  

Design of electrodes for 10 GHz LiNbO_3 electro-optic modulators

作　　者：符运良[1] 袁一方[2] 金国良[3] 

机构地区：[1]海南师范学院物理系,海南海口571158 [2]上海理工大学光学与电子信息工程学院,上海200093 [3]上海交通大学应用物理系,上海200242

出　　处：《海南师范学院学报（自然科学版）》2004年第1期24-28,共5页Journal of Hainan Normal University:Natural Science

基　　金：上海市科学技术发展基金资助项目(012261026)

摘　　要：用准静态分析法分析了铌酸锂光强度调制器的电极结构参数.为了尽可能减少微波和光波之间的折射率失配,提高光强度调制器的工作带宽和降低驱动电压,电极的宽度和间隙必须具有特定的要求,特别是电极的厚度.为了实现10GHz的带宽,在无缓冲层的X-切铌酸锂光强度调制器的电极设计中,在同时考虑电极传输损耗的情况下,地电极宽度S2为1000μm、中心电极宽度S1为32μm、电极间隙G为8μm、电极厚度d可取6μm.To decrease the mismatch between the light and microwave velocities,the electrode structure of optical waveguide intensity modulator is designed by using quasi-static analysis method.The thick electrode structure of X-cut LiNbO_3 electro-optic modulator at 10 GHz bandwidth with a half-wave voltage of 4.72 V has been demonstrated.

关 键 词：铌酸锂电光调制器 准静态分析法 特性阻抗 带宽 电极设计 准静态分析法 

分 类 号：TN761[电子电信—电路与系统]