透射窗口型GaAs/GaAlAs掩埋异质结构激光器  

GaAs/GaAlAs window buried heterostructure laser

作　　者：高伟[1] 庄婉如[2] 谭叔明[3] 

机构地区：[1]北京大学物理系,100871 [2]中国科学院半导体研究所 [3]北方交通大学物理系,100044

出　　处：《中国激光》1992年第6期406-410,共5页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：本文通过耦合速率方程组,从原理上分析了扩展半导体激光器调制带宽的三个根本途径,在理论计算的基础上给出本结构激光器的具体设计方案。最后介绍了器件的制作工艺和工作特性。Based on the analyses of the coupled laser rate equations, three essential ways for extending the bandwidth of a semiconductor las mare presented, also reported are the design, the fabrication and the charaoteristios of a GaAs/GaAlAs window buried hoterostrnctuiv laser.

关 键 词：半导体 激光器 异质结构 

分 类 号：TN248.402[电子电信—物理电子学]