非致冷红外探测器用氧化钒多晶薄膜的制备  

FABRICATION OF VANADIUM OXIDES POLYCRYSTALLINE THIN FILM FOR UNCOOLED IR DETECTORS

作　　者：王宏臣[1] 易新建[1] 陈四海[1] 黄光[2] 李雄伟[1] 

机构地区：[1]华中科技大学光电子工程系 [2]中国科技大学图象识别和人工智能教育部重点实验室,湖北武汉430074

出　　处：《红外与毫米波学报》2004年第1期64-66,共3页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家自然科学基金资助项目 ( 60 10 60 0 3 )

摘　　要：采用离子束溅射镀膜和氧化工艺在Si(110 )和石英衬底上制备了用于非致冷红外探测器阵列热敏材料的混合相氧化钒多晶薄膜 .扫描电子显微镜 (SEM)照片显示 :薄膜表面呈针状晶粒状 ,而且薄膜表面光滑、致密 ,均匀性好 .测试结果表明 :氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数 (TCR)在 2 0℃分别为 5 0KΩ和 - 0 .0 2 1K-1.Polycrystalline Vanadium Oxides thin films deposited on Si(110) and quartz substrates for thermo-sensitive material of uncooled IR detector arrays were fabricated by ion beam sputtering deposition and oxide process. SEM photography indicates that VOx thin films with acerose crystal constructor are smooth, compact and uniform. The test result shows that the square resistance and the temperature coefficient of resistance(TCR) of theVO(x) thin film are 50KOmega and -0.021K(-1) at 20degreesC, respectively.

关 键 词：非致冷红外探测器 氧化钒多晶薄膜 离子束溅射镀膜 电阻温度系数 半导体材料 薄膜结构 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学] O484.1[理学—固体物理]