负离子配位多面体生长基元模型及其在晶体生长中的应用  

作　　者：张学华[1] 罗豪甦[1] 仲维卓[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800

出　　处：《中国科学（E辑）》2004年第3期241-253,共13页Science in China(Series E)

基　　金：国家863高技术研究项目(批准号:2002AA325130);国家自然科学基金(批准号:50272075)

摘　　要：负离子配位多面体生长基元理论模型强调了晶体结构对晶体生长的影响,并与晶体生长的实际条件有机地联系起来,较好地弥补了以往晶体生长理论脱离实际的不足,总结了晶体生长溶液与熔体结构的测定结果,表明了晶体生长中存在着负离子配位多面体生长基元,并且在不同过饱和度溶液或不同过冷度熔体中,负离子配位多面体可以形成不同维度的聚集体,并用该理论模型讨论了晶体生长中的尚未破解的一些疑难问题,如:枝蔓晶的形成、极性晶体生长习性及同质异构和异质同构晶体的形成等。

关 键 词：晶体生长理论 生长基元 晶体生长形态 负离子配位 多面体生长 晶体结构 

分 类 号：O782[理学—晶体学]