氮化碳薄膜的电化学沉积及其电阻率研究  

Study on electrodeposition and resistivity of carbon nitride thin films

作　　者：李超[1] 曹传宝[1] 吕强[1] 张家涛[1] 项顼[1] 朱鹤孙[1] 

机构地区：[1]北京理工大学材料科学研究中心

出　　处：《科技通讯（上海）》2004年第1期9-13,共5页

基　　金：国家自然科学基金批准号(No.20171007);教育部博士点基金(No.1999000718)

摘　　要：在ITO导电玻璃基底上,采用二氰二胺分散在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中形成的溶液做沉积液,阴极电化学沉积了CNx薄膜。X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶转换红外光谱(FTIR)的分析结果表明,沉积的CNx薄膜的N/C比为0.7左右,碳和氮主要以C-N、C=N的形式成键,有少量的碳和氮以C≡N的形式成键。拉曼光谱测试发现其存在多个吸收峰,对其进行分析的结果表明薄膜样品中含有α-C3N4和β-C3N4相的成分。电阻率测试表明,氮化碳薄膜的电阻率值达到1012～1013Ω·cm。Carbon nitride films were deposite d onto glass substrates coated with i ndium tin oxide(ITO)by cathode electrodeposition from s olution of dicyandiamide in N,N -dim ethylformamide.The results of X -ray photoelectron spectroscop y(XPS)and Fourier transform infrared spec troscopy(FTIR)show that the nitrogen to carbon(N /C)ratio of samples is 0.70or so,nitrogen is mostly bonded with carbon by C -N,C =N.A lot of peaks appeared in Raman spectroscopy support the exis tence ofα-C 3 N 4 andβ-C 3 N 4 mixture in the films.The resistivity of carbon nitride films is 10 12 Ω·cm to 10 13 Ω·cm.

关 键 词：氮化碳薄膜 电化学沉积 电阻率 XPS FTIR 拉曼光谱 

分 类 号：O484[理学—固体物理]