微带蚀刻工艺影响因素探讨  

Study on Influencing Factors of the Etching Techniques of Microstrip

作　　者：田波[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第39研究所,陕西西安710065

出　　处：《表面技术》2004年第2期50-51,共2页Surface Technology

摘　　要：　阐述了在微带精密蚀刻过程中影响蚀刻速率变化的诸多因素,探讨了酸性氯化铜蚀刻液工艺控制应该注意的问题和解决办法。The paper introduces many influencing factors such as Cl^-,Cu^(1+),Cu^(2+) concentration of microstrip fine etching process and discusses the problems and solutions that should be regarded during controlling acidic copper chloride corrosion solution.

关 键 词：微带 蚀刻 酸性氯化铜 络合离子 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]