表面活性剂修饰的伏安传感器的制备及其应用  

Voltammetric sensor modified by surfactant

作　　者：熊劲芳[1] 黄建设[1] 李新梅[1] 张正奇[1] 

机构地区：[1]湖南大学化学化工学院,湖南长沙410082

出　　处：《化学传感器》2004年第1期59-62,共4页Chemical Sensors

摘　　要：用碳粉61%、液体石腊20%和甘油19%制备碳糊电极,经0.060%Tween-80溶液修饰90 s后,得表面活性剂修饰的伏安传感器。在pH7.8的磷酸盐缓冲溶液中,ST在该传感器上于0.98 V处呈现灵敏阳极溶出伏安峰,利用此峰可测定痕量的磺胺噻唑,线性范围为8.5×10^(-9) mol/L～5.0×10^(-6) mol/L,检测下限为3.0×10^(-9) mol/L。The voltammetric sensor modified by surfactant is prepared using 61% graphite power, 20% liquid paraffine and 19% glycerol. In a pH7.8 buffer solution containing 0.010% Tween-80, ST yields a sensitive anodic stripping voltammetric wave at 0.98 V on the vohammetric sensor, which can be used for the determination of trace ST, the linear range being from 8.5×10^(-9)mol/L to 5.0×10^(-6)mol/L with the detection limit of 3.0×10^(-9) mol/L.

关 键 词：伏安法 传感器 磺胺噻唑 表面活性剂 制备 碳糊电极 

分 类 号：TP212.1[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]